產品信息

4H 導電型

SiC單晶襯底

4H n-Type

當前位置 > 4H-導電型碳化硅單晶襯底
天岳先進不斷追求更高的晶體質量和加工質量
更好的滿足客戶的需求
目前可批量供應6英寸產品
8英寸產品正在研發中

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基本信息

導電型
  • 晶型 4H
  • 直徑(mm) 150
  • 偏角(°) 4
  • 厚度(μm) 350
  • 表面狀態 Epi-ready

電力電子器件

通過在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層,制得碳化硅同質外延片,可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、IGBT等功率器件,應用在新能源汽車,軌道交通以及大功率輸電變電等領域。
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