產品信息

4H 半絕緣型

SiC單晶襯底

4H Semi-Insulating

`
當前位置 >4H-半絕緣型襯底
天岳先進不斷追求更高的晶體質量和加工質量
更好的滿足客戶的需求
目前可批量供應4&6英寸產品
8英寸產品正在研發中

*更加詳細的產品信息歡迎咨詢營銷團隊

>聯系我們

基本信息

半絕緣型
  • 晶型 4H
  • 直徑(mm) 100 & 150
  • 偏角(°) 0
  • 厚度(μm) 500
  • 表面狀態 Epi-ready

微波射頻器件

通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層,制得碳化硅基氮化鎵外延片,可進一步制成HEMT等微波射頻器件,應用于信息通訊、無線電探測等領域。

>返回
? 2021 Copyright SICC Co., Ltd. All Rights Reserved.   備案號:魯ICP備11002960號-1
Top 又大又粗又爽又黄的少妇片_国产成人精品1024小说_国产亚洲Aⅴ在线观看_18禁午夜福利A级污黄刺激